深圳市鼎芯电子集成电路有限公司

?4N60是一种N沟道高压MOS管，主要用于高压、高速功率开关应用。?

4N60的具体参数如下：

• ?电压和电流?：漏源电压为600V，漏极电流为4A，栅源电压为?30V?12。
• ?导通电阻?：静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为2.5Ω?13。
• ?其他特性?：具备极低的栅电荷（典型值为15nC）、极低的反向转换电容（典型值为8pF）、快速开关能力、增强的dV/dt能力、100%雪崩击穿测试?1。
• ?封装形式?：常见的封装形式包括TO-220和TO-220F?1。

4N60的应用领域非常广泛，主要包括：

• ?高效开关电源?：用于DC/DC转换器、PWM马达控制和桥式驱动电路等?1。
• ?LED驱动?：适用于LED照明和显示设备?2。
• ?电机驱动器?：用于各种电机驱动应用?2。

此外，4N60的工作温度范围为-55℃至150℃，功耗为104W，zui大脉冲正向电流为16A，零栅极电压漏极电流为1uA，二极管正向电压为1.4V?